国家知识产权局信息显示，致真存储（北京）科技有限公司申请一项名为“用于磁存储器的测试结构及测试方法”的专利，公开号CN121438921A，申请日期为2025年10月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种用于磁存储器的测试结构及测试方法，涉及半导体测试技术领域，用于解决测试效率低及测试精度低的技术问题，该测试结构在写入通路的第一导电通孔的两端并联第一检测部和第二检测部，以测试第一导电通孔的电阻；在设置于磁隧道结与顶电极之间的第二导电通孔的两端，并联第三检测部和第四检测部，以测试第二导电通孔的电阻；在读取通路上设置第三导电通孔，并在第三导电通孔的两端并联设置第五检测部和第六检测部，以测试第三导电通孔的电阻，以在同一个版图中实现可以同时精确测试第一导电通孔、第二导电通孔以及第三导电通孔的电阻，提升了测试效率，且可以节省测试区域的面积，从而提升版图面积的利用率。

　　天眼查资料显示，致真存储（北京）科技有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本551.108572万人民币。通过天眼查大数据分析，致真存储（北京）科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线条，此外企业还拥有行政许可3个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。